DI9956T

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Especificaciones

Número de pieza

DI9956T
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

DI9956T.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.8V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 2.2A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

DI9956
DI9956CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A
Número de pieza base

DI9956

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Los siguientes son productos relacionados con "DI9956T".

SQJ960EP-T1_GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 8A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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