DI9435T

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Especificaciones

Número de pieza

DI9435T
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

DI9435T.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 5.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Otros nombres

DI9435
DI9435CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "DI9435T".

DI9945T

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

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