CY14B116N-BA25XIT

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Especificaciones

Número de pieza

CY14B116N-BA25XIT
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC NVSRAM 16M PARALLEL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CY14B116N-BA25XIT.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

25ns
Suministro de voltaje

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo

60-FBGA (10x18)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

60-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

16Mb (1M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

NVSRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 60-FBGA (10x18)
Tiempo de acceso

25ns

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CY14B116M-ZSP25XI

Descripción: IC NVSRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Cypress Semiconductor

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