CTLDM3590 TR

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Especificaciones

Número de pieza

CTLDM3590 TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CTLDM3590 TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TLM3D6D8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

125mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XFDFN
Otros nombres

CTLDM3590 TR LEAD FREE
CTLDM3590 TR PBFREE
CTLDM3590 TR-ND
CTLDM3590TR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.46nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

160mA (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "CTLDM3590 TR".

CTLC1610B

Descripción: LADDER TIE: PVC OVER 316 STAINLE

Fabricantes: Essentra Components

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