CEDM8001 TR

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Especificaciones

Número de pieza

CEDM8001 TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CEDM8001 TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-883
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

100mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

CEDM8001 TR LEAD FREE
CEDM8001 TR PBFREE
CEDM8001 TR-ND
CEDM8001TR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 3V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.66nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount SOT-883
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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CEDM7001 BK

Descripción: MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883

Fabricantes: Central Semiconductor

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