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AOWF7S60

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Especificaciones

Número de pieza

AOWF7S60
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOWF7S60.pdf
2.AOWF7S60.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

600 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

25W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

372pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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AOWF9N70

Descripción: MOSFET N-CH 700V 9A TO262F

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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