AOU3N60

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Especificaciones

Número de pieza

AOU3N60
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOU3N60.pdf
2.AOU3N60.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 Ohm @ 1.25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

56.8W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

785-1182-5
Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 2.5A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

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AOU4N60

Descripción: MOSFET N-CH 600V 4A TO251

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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