AOT25S65L

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Especificaciones

Número de pieza

AOT25S65L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOT25S65L.pdf
2.AOT25S65L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

357W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

785-1514-5
AOT25S65L-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1278pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 25A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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AOT262L

Descripción: MOSFET N-CH 60V 20A TO220

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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