AON7532E

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Especificaciones

Número de pieza

AON7532E
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AON7532E.pdf
2.AON7532E.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-DFN (2.9x2.3)
Serie

AlphaMOS
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

5W (Ta), 28W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

785-1678-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 30.5A (Ta), 28A (Tc) 5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30.5A (Ta), 28A (Tc)

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Descripción:

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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