AOC2806

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Especificaciones

Número de pieza

AOC2806
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOC2806.pdf
2.AOC2806.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

4-AlphaDFN (1.7x1.7)
Serie

AlphaMOS
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

700mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-XDFN
Otros nombres

785-1705-2
AOC2806-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 700mW Surface Mount 4-AlphaDFN (1.7x1.7)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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AOC3860A

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 6DFN

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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