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AO4612L

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Especificaciones

Número de pieza

AO4612L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

56 mOhm @ 4.5A, 10V, 105 mOhm @ 3.2A, 10V
Potencia - Max

2W
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V, 1120pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 60V 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta), 3.2A (Ta)

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Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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