Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C1M16S-6TINTR
RFQs/Orden (0)
español
español
4347833Imagen AS4C1M16S-6TINTRAlliance Memory, Inc.

AS4C1M16S-6TINTR

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1000+
$1.567
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C1M16S-6TINTR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    2ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    50-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    16Mb (1M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 50-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3-12BCNTR

AS4C256M16D3-12BCNTR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Descripción:

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3A-12BANTR

AS4C256M16D3A-12BANTR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir