AS4C16M16S-6TINTR

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Especificaciones

Número de pieza

AS4C16M16S-6TINTR
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AS4C16M16S-6TINTR.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

12ns
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SDRAM
Paquete del dispositivo

54-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Mb (16M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5.4ns

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AS4C16M16S-7BCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

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