NTMFS4833NST3G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS4833NST3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMFS4833NST3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SO-8FL
Serie

SENSEFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.2 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5250pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

86nC @ 11.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 16A (Ta), 156A (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Surface Mount SO-8FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 156A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTMFS4837NHT3G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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