NTMFS4833NAT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS4833NAT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.9 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

150nC @ 11.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 16A (Ta), 191A (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 191A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTMFS4833NT3G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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