NJVNJD1718T4G

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Especificaciones

Número de pieza

NJVNJD1718T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 50V 2A DPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVNJD1718T4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
Potencia - Max

1.68W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NJVNJD1718T4G-ND
NJVNJD1718T4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

80MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 80MHz 1.68W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NJVMJD50T4G

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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