NJVMJD44E3T4G

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Especificaciones

Número de pieza

NJVMJD44E3T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVMJD44E3T4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

2V @ 20mA, 10A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
Potencia - Max

1.75W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

10A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NJVMJD44H11RLG-VF01

Descripción: TRANS NPN 80V 8A DPAK-4

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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