NGTB20N60L2TF1G

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Especificaciones

Número de pieza

NGTB20N60L2TF1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 600V 20A TO3PF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NGTB20N60L2TF1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 20A
Condición de prueba

300V, 20A, 30 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

60ns/193ns
Cambio de Energía

-
Paquete del dispositivo

TO-3PF-3
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

70ns
Potencia - Max

64W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3PFM, SC-93-3
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

27 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
puerta de carga

84nC
Descripción detallada

IGBT 600V 40A 64W Through Hole TO-3PF-3
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

80A
Corriente - colector (Ic) (Max)

40A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NGTB25N120SWG

Descripción: IGBT 25A 1200V TO-247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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