NGTB20N120IHSWG

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Especificaciones

Número de pieza

NGTB20N120IHSWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1200V 20A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NGTB20N120IHSWG.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A
Condición de prueba

600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

-/160ns
Cambio de Energía

650µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
Potencia - Max

156W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

NGTB20N120IHSWG-ND
NGTB20N120IHSWGOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
puerta de carga

155nC
Descripción detallada

IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 156W Through Hole TO-247
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

120A
Corriente - colector (Ic) (Max)

40A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NGTB20N120IHSWG".

NGTB25N120FLWG

Descripción: IGBT 1200V 25A TO247-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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