NDDP010N25AZ-1H

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Especificaciones

Número de pieza

NDDP010N25AZ-1H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NDDP010N25AZ-1H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

IPAK/TP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

420 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta), 52W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

NDDP010N25AZ-1HOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

980pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 10A (Ta) 1W (Ta), 52W (Tc) Through Hole IPAK/TP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NDD60N745U1-1G

Descripción: MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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