NDD05N50Z-1G

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Especificaciones

Número de pieza

NDD05N50Z-1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NDD05N50Z-1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

83W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

NDD05N50Z-1G-ND
NDD05N50Z-1GOS
NDD05N50Z1G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 4.7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NDD05N50Z-1G".

NDD60N745U1T4G

Descripción: MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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