FDZ197PZ

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Especificaciones

Número de pieza

FDZ197PZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDZ197PZ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WLCSP
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

64 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.9W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-UFBGA, WLCSP
Otros nombres

FDZ197PZDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.8A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDZ197PZ".

FDZ1905PZ

Descripción: MOSFET 2P-CH 6-WLCSP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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