1952300

FDP2D3N10C

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Especificaciones

Número de pieza

FDP2D3N10C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDP2D3N10C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 700µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

214W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

22 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11180pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

152nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

222A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDP3652

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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