FDP2670

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Especificaciones

Número de pieza

FDP2670
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FDP2670.pdf
2.FDP2670.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

130 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

93W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

38nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 19A (Ta) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDP2670".

FDP20N50

Descripción: MOSFET N-CH 500V 20A TO-220

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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