FDFS2P102

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Especificaciones

Número de pieza

FDFS2P102
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDFS2P102.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 3.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDFS2P102_NL
FDFS2P102_NLTR
FDFS2P102_NLTR-ND
FDFS2P102TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDFMJ2P023Z

Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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