FDFMA2P859T

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Especificaciones

Número de pieza

FDFMA2P859T
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDFMA2P859T.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

MicroFET 2x2 Thin
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.4W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

FDFMA2P859TTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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Envío
Forma de pago

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FDFM2N111

Descripción: MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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