FDC645N

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Especificaciones

Número de pieza

FDC645N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDC645N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SuperSOT™-6
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

26 mOhm @ 6.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

FDC645NDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1460pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

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FDC655BN

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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