FDC642P-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDC642P-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDC642P-F085.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SuperSOT™-6
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

FDC642P-F085TR
FDC642P_F085
FDC642P_F085-ND
FDC642P_F085P
FDC642P_F085TR
FDC642P_F085TR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDC642P_SB4N006

Descripción: MOSFET N-CH SSOT6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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