FDBL86210-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDBL86210-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDBL86210-F085.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PSOF
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

6.3 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

500W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerSFN
Otros nombres

FDBL86210-F085TR
FDBL86210_F085
FDBL86210_F085TR
FDBL86210_F085TR-ND
FDBL86210F085
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5805pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

90nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 169A (Tc) 500W (Tj) Surface Mount 8-PSOF
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

169A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDBL0210N80

Descripción: MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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