FDBL86063-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDBL86063-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDBL86063-F085.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-HPSOF
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.6 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

357W (Tj)
Paquete / Cubierta

8-PowerSFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

95nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

240A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción: MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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