TP90H180PS

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Especificaciones

Número de pieza

TP90H180PS
Fabricante / Marca

Transphorm
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TP90H180PS.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 500µA
Vgs (Max)

±18V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

205 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

78W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 600V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

900V
Descripción detallada

N-Channel 900V 15A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "TP90H180PS".

NTD4813N-35G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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