TSM70N900CP ROG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM70N900CP ROG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM70N900CP ROG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

900 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

TSM70N900CP ROGTR
TSM70N900CP ROGTR-ND
TSM70N900CPROGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

52 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

482pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

700V
Descripción detallada

N-Channel 700V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "TSM70N900CP ROG".

TEL 15-1212

Descripción: DC DC CONVERTER 12V

Fabricantes: TRACO Power

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Stal***e

20/05/2025

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