TSM60NB190CM2 RNG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM60NB190CM2 RNG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM60NB190CM2 RNG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D²Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150.6W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

TSM60NB190CM2 RNGTR
TSM60NB190CM2 RNGTR-ND
TSM60NB190CM2RNGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

31nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 18A (Tc) 150.6W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 13A ITO220

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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