SF2008PTHC0G

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Especificaciones

Número de pieza

SF2008PTHC0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 20A TO247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SF2008PTHC0G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.9V @ 20A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

TO-247AD (TO-3P)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-247AD (TO-3P)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

20A
Capacitancia Vr, F

175pF @ 4V, 1MHz

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Fabricantes: Murata Electronics

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