ESH1D M2G

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Especificaciones

Número de pieza

ESH1D M2G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ESH1D M2G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

900mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

DO-214AC (SMA)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

15ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AC, SMA
Otros nombres

ESH1D M2G-ND
ESH1DM2G
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

16pF @ 4V, 1MHz

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ESH1BHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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