STWA48N60DM2

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Especificaciones

Número de pieza

STWA48N60DM2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

STWA48N60DM2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 Long Leads
Serie

MDmesh™ DM2
RDS (Max) @Id, Vgs

79 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3250pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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