STW58N65DM2AG

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Especificaciones

Número de pieza

STW58N65DM2AG
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STW58N65DM2AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 24A, 10V
La disipación de energía (máximo)

360W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

497-16137-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

88nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

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STW65N80K5

Descripción:

Fabricantes: STMicroelectronics

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