STV160NF02LAT4

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Especificaciones

Número de pieza

STV160NF02LAT4
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STV160NF02LAT4.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

10-PowerSO
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.7 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

210W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

175nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

160A (Tc)

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STV250N55F3

Descripción: MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10

Fabricantes: STMicroelectronics

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