STU80N4F6

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Especificaciones

Número de pieza

STU80N4F6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N CH 40V 80A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STU80N4F6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs

6.3 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

70W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

497-13657-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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STU95N2LH5

Descripción: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

Fabricantes: STMicroelectronics

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