STU5N95K3

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Especificaciones

Número de pieza

STU5N95K3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STU5N95K3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

90W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

497-12696-5
STU5N95K3-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

950V
Descripción detallada

N-Channel 950V 4A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "STU5N95K3".

STU65N3LLH5

Descripción: MOSFET N CH 30V 65A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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