STU16N65M5

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Especificaciones

Número de pieza

STU16N65M5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STU16N65M5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

299 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

90W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

497-11402-5
STU16N65M5-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

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