STSJ100NH3LL

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Especificaciones

Número de pieza

STSJ100NH3LL
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STSJ100NH3LL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC-EP
Serie

STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 70W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Otros nombres

497-5785-2
STSJ100NH3LL-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4450pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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STSJ100NHS3LL

Descripción: MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC

Fabricantes: STMicroelectronics

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