STS13N3LLH5

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Especificaciones

Número de pieza

STS13N3LLH5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STS13N3LLH5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

+22V, -20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

STripFET™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.7W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

497-12347-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 13A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

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Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity

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