STS10DN3LH5

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Especificaciones

Número de pieza

STS10DN3LH5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STS10DN3LH5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

STripFET™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max

2.5W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

497-10011-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.6nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A

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STS110003L360500U129

Descripción: THERMISTOR PTC 1K OHM 3% RADIAL

Fabricantes: Cantherm

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