STQ1HN60K3-AP

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Especificaciones

Número de pieza

STQ1HN60K3-AP
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STQ1HN60K3-AP.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs

8 Ohm @ 600mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Tc)
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres

497-13784-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

400mA (Tc)

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STQ1HNK60R-AP

Descripción:

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