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STPSC10TH13TI

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Especificaciones

Número de pieza

STPSC10TH13TI
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.STPSC10TH13TI.pdf
2.STPSC10TH13TI.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.75V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

650V
Paquete del dispositivo

TO-220AB Insulated
Velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

0ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-14197-5
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Silicon Carbide Schottky
configuración de diodo

1 Pair Series Connection
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Series Connection Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220-3
Corriente - Fuga inversa a Vr

100µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

10A

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220AC

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