STPSC1006G-TR

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Especificaciones

Número de pieza

STPSC1006G-TR
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STPSC1006G-TR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Silicon Carbide Schottky
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

10A
Tensión - Desglose

D²PAK
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr)

No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F

650pF @ 0V, 1MHz
Polarización

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

497-11209-2
STPSC1006GTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

0ns
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

STPSC1006G-TR
Descripción ampliada

Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK
configuración de diodo

150µA @ 600V
Descripción

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.7V @ 10A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

600V
Capacitancia Vr, F

-40°C ~ 175°C

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Fabricantes: STMicroelectronics

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