STP8NK85Z

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Especificaciones

Número de pieza

STP8NK85Z
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP8NK85Z.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4 Ohm @ 3.35A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-5205-5
STP8NK85Z-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

60nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

850V
Descripción detallada

N-Channel 850V 6.7A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.7A (Tc)

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STP8NS25

Descripción: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

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