STP35N60M2-EP

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Especificaciones

Número de pieza

STP35N60M2-EP
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

MDmesh™ M2-EP
RDS (Max) @Id, Vgs

-
La disipación de energía (máximo)

-
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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Los siguientes son productos relacionados con "STP35N60M2-EP".

STP33N65M2

Descripción: MOSFET N-CH 650V 24A TO220

Fabricantes: STMicroelectronics

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