STP26N60M2

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Especificaciones

Número de pieza

STP26N60M2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP26N60M2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

MDmesh™ M2
RDS (Max) @Id, Vgs

-
La disipación de energía (máximo)

169W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

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